Title °EXAMENS Electronique Analogique FSDM FES SMP5.pdf ✅

1 Université Sidi Mohamed Ben Abdellah Année Universitaire: 2020-2021 Faculté des Sciences Dhar El Mehraz-Fès Département de physique Exercice 1 Soit le montage à transistor de la figure suivante : Ve Vcc Vs C1 C2 C3 R2 R1 RE RC rg eg r Ru A) Etude statique Le transistor est défini par ses paramètres hybrides en base commune, h11, h21 et h22. 1) Donner puis simplifier le schéma équivalent du montage en régime statique. 2) Déterminer les expressions des paramètres du point de fonctionnement du transistor. B) Etude dynamique En régime dynamique, les capacités C1, C2 et C3 se comportent comme des court-circuits aux fréquences considérées. 1) Donner et simplifier par transformation Norton-Thevenin, le schéma équivalent en alternatif. 2) Donner l'expression du gain en courant Ai = IC/IB en fonction des éléments du montage, en déduire le gain en tension Av=Vs/Ve. 3) Exprimer la résistance d'entrée Re. 4) Exprimer la résistance de sortie Rs.
2 Exercice 1 (Solution) : A)1) RE • • R1 r R2 Vcc Vcc Rc Rth Eth VCC RE IB IC ≡ VBE VCE RC Rth = r + R1//R2 et Eth = Vcc R R R 1 2 2  2) Le point de fonctionnement de ce transistor est définie par : IB , VBE, IC, et VCE Expression de IB Eth = RE(IC + IB) + VBE + RthIB Eth = IB(RE + Rth) + VBE + REIC Eth = IB(RE( + 1)+ Rth) + VBE IB = R R ( 1) E - V th E th BE    Expression de VBE Eth = REIE + VBE + RthIB VBE = Eth – RE( + 1) IB - RthIB Expression de IC IC = IB Expression de VCE RE( + 1)IB + VCE = VCC VCE = VCC – IBRE( + 1)
3 B)1) Le schéma équivalent du montage en dynamique set le suivant : h11 IB B E Ve Vs RE IB ● ● RC Ie r Ru  En remplaçant Ru//RC par RH et (h11 + r) par RB et en faisant la transformation Norton- Thevenin le montage devient : IB IB IC RE RB  Ve RH 1 Vs 2) Calcul de Ai = IC/IB Maille (1) - RBIB = IB – ( + RH) IC -(RB + )IB = -( + RH) IC ρ RH RB βρ I I Ai B C     Calcul de Av = Vs/Ve Vs = -RH IC Ve = -RB IB Ai RB RH Ve Vs Av   ρ RH RB βρ RB RH Ve Vs Av     3) Calcul de la résistance d’entrée IB I1 Ve RE//RB RH Vs Ie  IC Ve I - Ve I Ve Ie 1 C 
4 E B 1 R //R I Ve  Ve = IB – (RH + )IC (IB = IC/Ai) C ρ)IC I -(RH Ai βρ Ve   C (RH ρ) -(RH ρ) I RB βρ βρ Ve           C I RB βρ βρ - RB-βρ Ve (RH ρ)          C I RB βρ RH ρ Ve -R    B R βρ RH ρ R I Ve - C B    B R βρ RB(ρ RH) Re (R //RB)// B E    3) Calcul de la résistance de sortie Rs : RH Vs Is rg//RE  IB RB IB I2 I1 1/Rs = Is/Vs = I1/Vs + I2/Vs (I1/Vs = 1/RH) Vs = (rg//RE//RB + ) I2 - IB (1) avec RBIB = (rg//RE) (I2 + IB) (RB - (rg//RE)) IB = (rg//RE)I2 (2) On remplace (2) dans (1) avec IB = K I2 I2/Vs = 1/ (rg//RE//RB +  - K) Rs = (rg//RE//RB +  - K) // RH