Title °TD Electronique Analogique FSSM MARRAKECH 18 19 SMP5.pdf ✅

UNIVERSITE CADI AYYAD Faculté des Sciences Semlalia Département de physique Année universitaire 2017-2018 TD1 : Electronique Analogique SMP/S5 Amplificateurs à base de transistor bipolaires en basse fréquences Exercice I : On considère le montage à transistors de la figure ci-dessous. On donne RB =100kfi, Rc =500fi , RE =800 fi, 0 = 150 et Vcc = 15V. Étude statique ; 1 . Déterminer le point de fonctionnement du Transistor : IBO, ICO et VCEO- Le courant de base est supposé négligeable devant le courant du collecteur (P»l) . On prend VBE = 0,6V. Étude en Basses Fréquences : 2. On donne les paramètres hybrides en émetteur commun du transistor: hu=500fi, hi2=0, P=150 eth 2 2 = 0. RB RC CL R . Ve Donner le schéma dynamique faibles signaux du transistor. 3. Les liaisons par C L et le découplage par C B sont supposés parfaits aux fréquences d'utilisation. Déduire le schéma dynamique faibles signaux du montage. 4. Déterminer, en fonction des éléments du montage (A.N) : a. Le gain en tension à vide Av=vs/ve b. La résistance d'entré Re c. La résistance de sortie Rs 5. On suppose que Ï122 n'est pas nul et on prend h 2 2 = 0,5.10-* S (fi 1 ) a. Exprimer le courant ic en fonction de Pip, ve, vs et h.22. b. Déterminer de nouveau l'expression du gain en tension à vide Av c. Calculer sa valeur numérique et conclure Exercice II : On considère le montage à transistors de la figure ci-dessous. Les deux transistors sont identiques. Leur gain en courant P = 100 . On donne R2 =500fi , R 3 =lKfi , R4 =500 fi, R5 =2,5Kfi , R=126K fi et VC c = 15V. 'ce ^5 c. Vs — M
Etude statique : Les tensions de bases des transistors sont identiques : VBEI=VBE2=0,6V. On donne la tension VCE2=7V et on suppose négligeables les courants des bases devant tous les courants des collecteurs. 1. Déterminer les points de fonctionnement des deux transistors : Ici ,IB2, IBI.IC I et VCEI. 2. Déduire la valeur de Ri. Etude dynamique : On suppose parfait les liaisons par les condensateurs C L et le découplage par la capacité Cs. Par contre on désire étudier l'effet de la capacité C4. On notera par Z4 l'impédance R4//(l/jC4w). Les paramètres du schéma dynamique des transistors sont : hn=0,5 klï , hi2=0, P = 100 et b.22=0. 1. Donner le schéma dynamique faibles signaux du montage. 2. Etude du gain en tension a. Déterminer une relation entre ibi et ib2 b. Déterminer l'expression du gain en tension Av c. En tenant compte de la valeur de hn, simplifier l'expression de Av et la mettre sous la forme : ai A = A <±L * Ai- 1 + 7 — Mi d. Donner les expressions de Avo, toi, et cc>2. A quoi correspond Avo. e. Quelle est la nature de ce filtre et quelle est sa fréquence de coupure. 3. Déterminer l'expression de l'impédance d'entrée du montage 4. Déterminer l'expression de l'impédance de sortie du montage. Exercice III : On considère le montage à transistors à effet de champ de la figure ci-dessous. Les deux transistors sont identiques. On donne RD=4,7 Kft ; Rs= 820H ; u=g m r d s= 270 ; C=0,1 uF ; RG = lOOKft ; r d s= 90KH ; VDD=18V On suppose que seul le condensateur de découplage Cs présente une impédance négligeable aux fréquences de travail. 1. Analyser le circuit en précisant le type de montage pour chaque transistor. 2. Donner le schéma équivalent dynamique du montage en basses fréquences. 3. Déterminer l'expression du gain en tension Av = V0/Vj du montage.
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