PDF Google Drive Downloader v1.1


Report a problem

Content text KTDT-Chuong 2 E - Cau kien dien tu - Transitor.pdf

1 KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ Transitor là đơn vị cơ bản hình thành các thiết bị điện tử. Về cơ bản đây là một thiết bị bán dẫn có tác dụng đóng mở hoặc phòng đại tín hiệu, cường độ dòng điện. Các mạch điện hoặc mạch điện tích hợp (IC) là sự kết hợp giữa các transistor lại với nhau - trong đó đầu ra tín hiệu của transistor này sẽ là đầu vào của một hoặc nhiều transistor khác hoặc ngược lại - góp phần tạo ra những mạch chức năng chuyên môn tuỳ theo ý muốn của kỹ sư hoặc nhà sản xuất (NSX) Đèn điện tử (Vacuum Tube): là thiết bị điện tử để điều khiển dòng trong mạch sử dụng một vaccum trong một ống thủy tinh hàn kín Yêu cầu đốt nóng một phần tử để tạo ra electron Transitor là linh kiện bán dẫn ba cực để chuyển mạch trong các mạch điện tử Có thể tích hợp vào IC 2.2 Phần tử hai mặt ghép pn (transistor lưỡng cực BJT) (3 tiết) 2.2.1 Cấu tạo, nguyên lý hoạt động và các hệ thức dòng điện cơ bản a) Cấu tạo Tranzitor Chú ý: mũi tên đặt giữa cực E&B luôn có hướng từ p → n Tạo bởi 3 vùng bán dẫn pha tạp với 2 tiếp giáp PN → có 2 kiểu: NPN hoặc PNP


4 Do E có nồng độ pha tạp lớn nhất trong 3 điện cực dẫn đến Ien ≫ Iep Ie = Ien + Iep = Ien Khi e sang miền B thì e là động tử tiểu số của B. Yêu cầu bề dày B càng nhỏ càng tốt sẽ có nhiều e đến sát mặt tiếp giáp J2. Do J2 được phân cực ngược nên các e dễ dàng trượt qua lớp tiếp giáp J2 sang C. Trên đường đi từ J1 sang J2, một số điện tử tái hợp với lỗ trống của miền p tạo ra Ith. Vì vậy e sang C sẽ bị hao hụt Ic1 < Ien Để đặc trưng cho chất lượng của T, người ta đưa ra 1 tham số gọi là hệ số truyền đạt dòng điện (của B). Ký hiệu: α = Ic1 Ien < 1 (cỡ 0,96 đến 0,99) Do J2 được phân cực ngược nên có dòng trượt của đọng tử thiểu số Icbo. Do Icbo rất phụ thuộc nhiệt độ nên goi là dòng nhiệt. Khi nhiệt độ tăng Icbo tăng gây mất ổn định cho T (Icbo = 10nA) c) Quan hệ dòng điện trong Transistor IE = IC + IB Để đánh giá mức độ hao hụt dòng khuếch tán α = IC IE ≈ 1 Hệ số khuếch đại dòng điện β của T β = IC IB (vài chục đến vài trăm) IE = IB(1 + β) α = β β+1 2.2.2 Các cách mắc và họ đặc tuyến tĩnh của Transistor Đặc tuyến và tham số của T phụ thuộc vào cách mắc của T Mạch EC

Related document

x
Report download errors
Report content



Download file quality is faulty:
Full name:
Email:
Comment
If you encounter an error, problem, .. or have any questions during the download process, please leave a comment below. Thank you.